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シリコンエネルギー半導体電力MOSFETチップ設計工学技術研究センターは江蘇省の省属実験室であり、MOSFET、IGBT、SiC、モジュールなどのために構築された
主要製品の研究と開発を強力にサポートする革新的なプラットフォームであり、MOSFET、IGBT、SiC、MODULEなどの主要製品の研究開発に卓越した実験環境を提供することに力を入れている。
現在のラボサポート:最先端のデバイスとテクノロジー、専門チームのガイダンス、クロス学科のコラボレーション。製品の詳細なパフォーマンス検証を提供します。
新しい技術と革新的なアイデアを検証するプラットフォームを提供し、製品開発に重要なサポートを提供しています。MOSFET、IGBT、SiC、モジュールなどの製品の深い研究と開発に制御され、革新的な環境を提供した。
製品の安全性を考慮し、顧客に提供する製品が国際、国内の法律法規及び顧客の有害物質管理に対する要求に符合できることを確保し、
半導体は有害物質管理方法を制定し、提供する製品がハロゲンフリー、EU RoHS(EURoHS)、REACHは高度に物質有害物質要求に符合することを確保する。