新硅能IGBT芯片采用先进的器件结构和工艺制程,以实现更低的导通压降与更小的开关损耗,提升器件短路能力。涵盖600V~1700V电压,可以在满足电源系统高频化的同时,实现更高的效率,适合应用于光伏储能逆变、充电桩、汽车电机驱动、白色家电等领域。