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    产品信息 Product Information
  • MOSFET
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    • IGBT系列

    新硅能IGBT芯片采用先进的器件结构和工艺制程，以实现更低的导通压降与更小的开关损耗，提升器件短路能力。涵盖600V~1700V电压，可以在满足电源系统高频化的同时，实现更高的效率，适合应用于光伏储能逆变、充电桩、汽车电机驱动、白色家电等领域。



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    产品列表
    Part Number Package V(BR)CES (V) V CE(SAT)(V)@25℃ IC (A) VGE (V) Vth (V) VF (V) Automotive Status
    typ max min max
    SMG065N40E1 TO-247
  • TO-247
    		•  650 1.6 2.2 40 20 4 6 2 N Developing
    SMG065N80E1 TO-247
  • TO-247
    		•  700 1.6 1.8 80 30 4.5 6.5 1.73 N Engineering