新硅能开发650V，1200V SiC功率MOSFET产品，具有高耐压、电流密度大、低损耗、优良的短路能力等特点，进一步降低器件的开关损耗，广泛应用于新能源汽车、充电桩、太阳能逆变器等领域。
| Part Number | Technology | Package | Configuration | V(BR)DSS (V) | ID (A) | VGS (V) | VGS(th) (V) | RDSON (mΩ)max | Automotive | Status | |
| min | max | 20V | |||||||||
| SMI120N35E1 | Trench | TO-247 | N | 1200 | 35 | 20 | 2 | 4 | 95 | N | Developing |
